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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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GBL08L-5306E3/45

Modello di prodotti
GBL08L-5306E3/45
Stato RoHS
N/A
Costruttore / Marca
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Condizione di scorta
Esaurito
Descrizione del prodotto
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBL
Nave da
Hong Kong
Specifiche
GBL005, GBL01, GBL02, GBL04, GBL06, GBL08, GBL10.pdf
Modo di spedizione
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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  • Metodo di spedizione
  • Post vendita
  • Specifiche
Specifiche di GBL08L-5306E3/45
Tensione - Picco inversa (max)800 V
Tensione - diretta (Vf) (max) a If1 V @ 4 A
TecnologiaStandard
Contenitore dispositivo fornitoreGBL
Serie-
Contenitore / involucro4-SIP, GBL
PacchettoTube
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggioThrough Hole
Tipo diodoSingle Phase
Corrente - Dispersione inversa a Vr5 µA @ 800 V
Corrente - raddrizzata media (Io)3 A
Numero di prodotto di baseGBL08

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