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IPW60R120P7XKSA1

Modello di prodotti
IPW60R120P7XKSA1
Stato RoHS
N/A
Costruttore / Marca
Infineon Technologies
Condizione di scorta
24994 pcs stock
Descrizione del prodotto
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Nave da
Hong Kong
Specifiche
Mult Dev A/T Chgs 3/Nov/2022.pdf
Modo di spedizione
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

24994 pcs stock Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs 10 pcs 100 pcs 500 pcs 1000 pcs 2000 pcs
$2.437 $2.187 $1.792 $1.525 $1.287 $1.222

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  • FedEx
    www.fedex.com
    Da $ 35,00 La commissione di spedizione di base dipende dalla zona e dal paese.
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  • Metodo di spedizione
  • Post vendita
  • Specifiche
Specifiche di IPW60R120P7XKSA1
Vgs (th) (max) a Id4V @ 410µA
Vgs (Max)±20V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitorePG-TO247-3
SerieCoolMOS™ P7
Rds On (max) a Id, Vgs120mOhm @ 8.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)95W (Tc)
Contenitore / involucroTO-247-3
PacchettoTube
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggioThrough Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1544 pF @ 400 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Tipo FETN-Channel
Caratteristica FET-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Tensione drain-source (Vdss)600 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C26A (Tc)
Numero di prodotto di baseIPW60R120

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